[发明专利]一种高方阻太阳能电池的制作方法有效
申请号: | 201610420831.3 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN106057970B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 王英超;王红芳;徐卓;宋登元 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 李荣文 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高方阻太阳能电池的制作方法,涉及太阳能电池制作技术领域。本发明包括以下步骤按比例配置混合酸水溶液;混合酸水溶液为硝酸和氟化物的水溶液,占总溶液的体积配比为硝酸50%‑65%,氟化物0.3‑1.5%;把去除磷硅玻璃或硼硅玻璃的硅片放入混合酸水溶液中进行清洗;然后再把硅片放入纯水中清洗;烘干。该方法制作工艺简单、设备投资及设备维护费用低、制作成本低,并能够制作均匀的高方阻硅片,提高光电转换效率,适于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 高方阻 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种高方阻太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:A、按比例配置混合酸水溶液;混合酸水溶液为硝酸和氟化物的水溶液,占总溶液的体积配比为硝酸50%‑65%,氟化物0.3‑1.5%;B、把去除磷硅玻璃或硼硅玻璃的硅片放入混合酸水溶液中进行清洗;清洗时间为2‑8分钟,清洗过程要求放置混合酸水溶液的槽中不伴随鼓泡,温度控制在15‑25度;C、然后再把硅片放入纯水中清洗;清洗2‑8分钟,清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡,纯水的温度控制在20‑25度;D、烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的