[发明专利]一种负电压产生电路及集成芯片

摘要

本发明属于集成电路领域，提供了一种负电压产生电路及集成芯片。本发明通过采用包括负电压产生模块、第一输出模块及第二输出模块的负电压产生电路，通过负电压产生模块产生负电压，通过第一输出模块将所述负电压进行输出，并通过第二输出模块将所述负电压输出至第一输出模块中的第一NMOS管的衬底和第二NMOS管的衬底，从而使得第一NMOS管的漏衬或源衬以及第二NMOS管的漏衬或源衬持续处于反偏状态，保证了负电压产生电路输出电压的稳定性，避免了因负电压产生电路输出电压的不稳定而引起的漏电情况或闩锁效应。

主权项

一种负电压产生电路，包括负电压产生模块、第一输出模块及第一稳压电容；所述负电压产生模块的第一电源端、第二电源端及第三电源端分别接第一电源、第二电源及第三电源，所述负电压产生模块用于产生负电压，所述第一输出模块用于将所述负电压进行输出；所述第一输出模块包括交叉耦合的第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极共接于所述负电压产生模块的第一输出端，所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极共接于所述负电压产生模块的第二输出端，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极共接作为所述负电压的输出端，所述第一稳压电容接在所述第一NMOS管的源极和地之间；其特征在于，所述负电压产生电路还包括第二输出模块；所述第二输出模块的第一输入端和第二输入端分别接所述负电压产生模块的第一输出端和第二输出端，所述第二输出模块的第一输出端和第二输出端分别接所述第一NMOS管的衬底和所述第二NMOS管的衬底；所述第二输出模块将所述负电压输出至所述第一NMOS管的衬底和所述第二NMOS管的衬底，以使所述第一NMOS管的漏衬或源衬以及所述第二NMOS管的漏衬或源衬持续处于反偏状态。