[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201610424408.0 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107516674B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有初始鳍部；在所述初始鳍部和半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面高于初始鳍部的顶部表面；在所述牺牲层和初始鳍部中形成凹槽，所述凹槽将初始鳍部分割，形成位于凹槽两侧的第一鳍部和第二鳍部；在所述凹槽中填充满隔离层后，去除所述牺牲层。所述方法提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有初始鳍部；在所述初始鳍部和半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面高于初始鳍部的顶部表面；在所述牺牲层和初始鳍部中形成凹槽，所述凹槽将初始鳍部分割，形成位于凹槽两侧的第一鳍部和第二鳍部；在所述凹槽中填充满隔离层后，去除所述牺牲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610424408.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种旋转伸缩式园林枝叶锯割工具
- 下一篇：一种植物用流速调节装置
- 同类专利
- 专利分类
