[发明专利]一种增加演色性的白光LED结构制作方法

摘要

本发明公开一种增加演色性的白光LED结构制作方法，蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；红光四元外延芯片的GaP层上形成P型欧姆接触层；蓝光外延芯片正面键合在暂时衬底上，在衬底上形成DBR层，然后在DBR层上形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合；先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层；将暂时衬底去除，裂片即得。本发明减少封装体积和使用封装面积，提高白光演色性，混光效果较好。

主权项

一种增加演色性的白光LED结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：一，在蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N‑GaN表面，在N‑GaN表面蒸镀N电极，在P‑GaN上蒸镀铟锡氧化物，在铟锡氧化物上蒸镀P电极；二，在红光四元外延芯片的GaP层上蒸镀p型欧姆接触材料形成P型欧姆接触层；三，在蓝光外延芯片正面涂覆有机黏着胶，然后键合在暂时衬底上，研磨蓝光外延芯片背面的衬底，在研磨后的衬底上蒸镀氧化物材料形成DBR层，然后在DBR层上涂布有机黏着胶或无机黏着胶形成键合层后，再与四元外延芯片进行对位式键合，与四元外延芯片的P型欧姆接触层键合；四，先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除，再蒸镀形成N型欧姆接触层，在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜，在反射镜上沉积隔绝层，对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层，在穿孔中分别生长P型电极与P型欧姆接触层连接及N型电极与N型欧姆接触层连接；五，将暂时衬底去除，裂片即得。