[发明专利]一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610427274.8 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105957890A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;侯明辰;李雪阳;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件及其制备方法。在Si衬底之上从下至上依次涂覆有GaN层和AlGaN层，在GaN层和AlGaN层的一侧边缘刻蚀有沟槽，沟槽过刻至GaN层，在沟槽底GaN层上表面涂覆源极欧姆金属，在AlGaN层上表面另一侧边缘涂覆漏极欧姆金属，源漏欧姆金属之间涂覆有钝化层，位于垂直型沟道附近的钝化层上涂覆有用于控制垂直型沟道导电粒子浓度的肖特基金属。本发明的新型增强型AlGaN/GaN半导体器件可实现比传统沟槽增强型AlGaN/GaN的HEMTs更小的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 增强 algan gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件，其特征在于：其结构是在Si衬底(8)之上从下至上依次涂覆有GaN层(6)和AlGaN层(5)，在GaN层(6)和AlGaN层(5)的一侧边缘刻蚀有沟槽，沟槽过刻至GaN层(6)，在沟槽底的GaN层(6)上表面涂覆源极欧姆金属(2)，在AlGaN层(5)上表面远离沟槽一侧边缘涂覆漏极欧姆金属(1)，源漏欧姆金属(2、1)之间涂覆有钝化层(4)，位于垂直型沟道附近的钝化层(4)上涂覆有用于控制垂直型沟道导电粒子浓度的肖特基金属(3)。
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