[发明专利]一种用于集成电路芯片自毁结构有效
| 申请号： | 201610427727.7 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN106098673B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王向展;夏琪;廖宇龙;罗谦;曹建强 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种用于集成电路芯片自毁结构，结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。具有结构和工艺要简单，安全性、稳定性更高，应力集中的优点。 1 | ||
| 搜索关键词： | 通槽 集成电路芯片 自毁结构 外凸起 尖角 迂回 金属杨氏模量 非工作区域 热膨胀系数 周期性设置 金属 首尾两端 芯片背面 芯片正面 应力集中 不重合 电极 槽向 角尖 两段 有向 背面 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成电路芯片自毁结构，该结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。
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