[发明专利]一种带氮化物保护层的石墨烯电极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种带氮化物保护层的石墨烯电极及其制备方法，在载玻片基体或PET基体上覆有TiN或GaN薄膜，所述的薄膜厚度为30～50nm；采用真空热蒸镀法制备镀有氮化物保护层的石墨烯电极，在真空蒸发镀膜设备中加热蒸发物质使之气化，气化后的粒子射向基片同时在基片上沉积形成固态薄膜，在基体表面制备出氮化物薄膜；本发明的优点是：采用真空蒸镀的方法制备镀有氮化物保护层的石墨烯电极，解决了复合薄膜石墨烯暴露在外表层容易被划伤而失去其最佳导电性的问题。实现了在不破坏石墨烯原有透光性、导电性基础上完成对石墨烯表面的保护，从而延长石墨电极的使用寿命。

主权项

1.用于钙钛矿太阳能电池的带氮化物保护层的石墨烯电极，其特征在于，在载玻片基体或PET基体上覆有TiN或GaN薄膜，所述的薄膜厚度为30～50nm；在不破坏石墨烯原有透光性、导电性基础上完成对石墨烯表面的保护；所述的带氮化物保护层的石墨烯电极的制备方法，采用真空热蒸镀法制备镀有氮化物保护层的石墨烯电极，具体步骤如下：1)实验基体选用载玻片基体和复合石墨烯的PET基体；药品材料选择TiN和GaN两种；在同一实验条件下，通过测量载玻片基体上的膜厚得到复合石墨烯的PET基体上的膜厚的预测值；2)溅射前预处理：镀膜前载玻片基体需要被清洗，将载玻片基体置于无水乙醇中，用超声波清洗15分钟，再将基体置于去离子水中，超声波清洗20分钟，最后取出基体，直接用氮气吹干，用记号笔在玻璃上做记号，以便后期测量膜厚；3)实验方法：采用真空热蒸镀法制备镀有氮化物保护层的石墨烯电极：在真空蒸镀膜设备内同时放入载玻片基体和复合石墨烯的PET基体，TiN薄膜的药品材料选择TiN，用真空热蒸镀法制备，在真空蒸发镀膜设备中进行镀膜，蒸镀电压为175V，电流200A，时间1s，在真空蒸发镀膜设备中加热蒸发物质使之气化，气化后的粒子射向基片同时在基片上沉积形成固态薄膜，在基体表面制备出氮化物薄膜，氮化物薄膜的膜厚为30nm。