[发明专利]在平坦化电极上的磁性隧道结有效
| 申请号： | 201610444193.9 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106058042B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 升·H·康;李霞;陈维川;李康浩;朱晓春;徐华南 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在平坦化电极上的磁性隧道结。制造一种直接接触的磁性隧道结MTJ，其具有较低电阻、改进的合格率和较简单的制造。所述较低电阻改进所述MTJ中的读取与写入过程两者。将所述MTJ层(126)沉积在底部电极(124)上且与底部金属(122)对准。可邻近所述底部金属而沉积蚀刻止挡层(302)，以防止围绕所述底部金属的绝缘体过度蚀刻。在沉积所述MTJ层之前平坦化所述底部电极以提供实质上扁平表面。另外，可在所述MTJ层之前将下层(202)沉积在所述底部电极上以促进MTJ的所要特性。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 电极 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
一种用于制造磁性隧道结装置的方法，其包括：将第二绝缘层(104)沉积在底部金属(122)周围和第一绝缘层(102)上；图案化所述第二绝缘层(104)以暴露所述底部金属(122)，其中对所述第二绝缘层(104)的图案化包含蚀刻所述第二绝缘层(104)直到暴露下方的蚀刻停止层(302)为止；在图案化所述第二绝缘层(104)之后将底部电极(124)沉积在所述底部金属(122)上以覆盖所述底部金属(122)；平坦化所述底部电极(124)；在平坦化所述底部电极(124)之后将MTJ层(126)沉积在所述底部电极(124)上；图案化所述MTJ层；在图案化所述MTJ层之后将第三绝缘层(106)沉积在所述MTJ层周围；将顶部电极(128)沉积在所述第三绝缘层和经图案化的所述MTJ层上；图案化所述顶部电极和所述第三绝缘层；以及将第四绝缘层(108)沉积在所述第三绝缘层和所述顶部电极周围。
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