[发明专利]一种高效率晶体硅太阳电池

摘要

本发明提供一种高效率晶体硅太阳电池，所述高效率晶体硅太阳电池包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极；所述调节层包括介质材料和/或导电膜膜材料；或量子阱材料。本发明还公开了一种高效率晶体硅太阳电池的制备方法。本发明高效率晶体硅太阳电池构简单，制备成本低廉，能够利用传统的太阳电池生产线简单升级来完成电池制备。

主权项

一种高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极；所述调节层包括：介质材料和/或导电膜膜材料；或量子阱材料；所述高效率晶体硅太阳电池的制备包括以下步骤：第一步：清洗基体晶体硅片，并对其双面制绒；第二步：利用三氯氧磷扩散的方法在基体晶体硅片制备磷扩散层；第三步：利用化学气相沉积方法在磷扩散层背离基体晶体硅片的一侧沉积钝化减反射SiN层；第四步：利用磁控溅射或化学气相沉积方法或原子层沉积技术在晶体硅片背离磷扩散层的一侧沉积调节层；第五步：在钝化减反射SiN层背离磷扩散层的一侧印刷制备上电极，在调节层背离基体晶体硅片的一侧印刷制备下电极；烘烤烧结：在N2气氛下对硅片进行烘干，之后在N2气氛下对硅片进行850‑900℃高温烧结，烧结后下电极中的铝向基体晶体硅片扩散，形成铝扩散层。