[发明专利]一种PSS基AlN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610447112.0 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106086801A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘建哲;褚君尉;彭艳亮;杨新鹏;郑小琳;陈素春;徐良 | 申请（专利权）人： | 浙江东晶博蓝特光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 胡杰平;吴佩 |
| 地址： | 321000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PSS基AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：⑴选取一片PSS晶片，并对PSS晶片及Al靶进行预处理；⑵对反应室抽真空处理，并将PSS晶片置于抽真空后的反应室内；⑶对PSS晶片进行低能清洗，去除晶片表面的氧化层；⑷采用电流将PSS晶片加热至一定温度；⑸在真空环境中对PSS晶片进行预溅射；⑹在稳定的气压下溅射镀膜，制备得到PSS基AlN薄膜；⑺关闭设备，取出制备好的PSS基AlN薄膜。本发明制备得到的图形化蓝宝石衬底图形尺寸2.6‑2.8μm，高度1.6‑1.8μm，AlN薄膜厚度为15‑50nm，半峰宽为160‑180arcsec，表面粗糙度0.3‑0.5nm。本发明采用了图形化蓝宝石作为衬底，选择等离子磁控溅射的方法制备AlN薄膜，AlN薄膜能极大地降低了蓝宝石外延生长中的翘曲，大幅提升了LED芯片的良品率和输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pss aln 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PSS基AlN薄膜的制备方法，其特征在于该PSS基AlN薄膜的制备方法采用图形化蓝宝石作为衬底，选择等离子磁控溅射的方法制备AlN薄膜，包括以下步骤：⑴选取一片PSS晶片，并对PSS晶片及Al靶进行预处理；⑵对反应室抽真空处理，并将PSS晶片置于抽真空后的反应室内；⑶对PSS晶片进行低能清洗，去除晶片表面的氧化层；⑷采用电流将PSS晶片加热至一定温度；⑸在真空环境中对PSS晶片进行预溅射；⑹在稳定的气压下溅射镀膜，制备得到PSS基AlN薄膜；⑺关闭设备，取出制备好的PSS基AlN薄膜。
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