[发明专利]等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻有效
| 申请号： | 201610451176.8 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105895490B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 克伦·雅克布卡纳里克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于处理在室中衬底的方法，该室具有至少一个等离子体发生源、用于提供反应性气体进入该室的内部区域的反应性气体源和用于提供非反应性气体进入所述内部区域的非反应性气体源。该方法包括执行混合模式脉冲(MMP)准备阶段，包括使反应性气体流入所述内部区域以及形成第一等离子体以处理被放置在工件夹具上的衬底。该方法还包括执行MMP反应阶段，包括使至少非反应性气体流入所述内部区域以及形成第二等离子体以处理所述衬底，第二等离子体是由在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流形成，在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流少于在所述MMP准备阶段期间的反应性气体流。多次执行所述方法、步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 中的 混合 模式 脉冲 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理等离子体处理系统的等离子体处理室中的衬底的方法，所述等离子体处理室具有至少一个等离子体发生源和用于提供第一反应性气体进入所述等离子体处理室的内部区域的反应性气体源以及用于提供第一非反应性气体进入所述等离子体处理室的所述内部区域的非反应性气体源，该方法包括：(a)执行混合模式脉冲准备阶段，其包括使所述第一反应性气体流入所述内部区域，由具有第一RF频率的第一RF信号激发所述至少一个等离子体发生源，所述RF信号代表具有啁啾的频率的RF信号，以及由所述第一反应性气体形成第一等离子体以使用所述第一等离子体处理所述衬底；(b)执行混合模式脉冲反应阶段，其包括使所述第一非反应性气体流入所述内部区域，以及由所述第一非反应性气体形成第二等离子体以使用所述第二等离子体处理所述衬底，其中在所述混合模式脉冲反应阶段期间的第一反应性气体流少于在所述混合模式脉冲准备阶段期间的所述第一反应性气体流；以及(c)多次重复所述步骤(a)和所述步骤(b)，其中所述混合模式脉冲是指输入气体和源RF信号都被施加脉冲。
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