[发明专利]一种Cu3BiS3薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种Cu3BiS3薄膜的制备方法，包括以下步骤一、将硫源、铜源和铋源溶于溶剂中，混合均匀后得到前驱溶液，其中硫源为秋兰姆；二、将前驱溶液通过液相法制膜，烘干后得到前驱薄膜；三、退火，得到Cu3BiS3薄膜。本发明制备工艺简单，前驱溶液成分简单，设备要求低，制备得到的薄膜为Cu3BiS3纯相，其退火工艺参数的选择窗口大。

主权项

一种Cu3BiS3薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、制前驱溶液：将铜源、铋源和硫源溶于溶剂中，混合均匀后得到前驱溶液；所述铜源为硝酸铜、氯化铜或醋酸铜，所述铋源为硝酸铋、氯化铋或醋酸铋，所述硫源为秋兰姆，所述溶剂为N,N‑二甲基甲酰胺或二甲基亚砜；所述前驱溶液中铜源、铋源和硫源的摩尔比为(2.8～3.5)∶(0.9～1.1)∶(0.9～1.1)；所述溶剂还包括水，所述水的体积为前驱溶液总体积的0.1％～1.5％；步骤二、制膜：将步骤一中所述前驱溶液通过液相法制膜，烘干后得到前驱薄膜；步骤三、退火：将步骤二中所述前驱薄膜在气氛保护下进行退火处理，得到Cu3BiS3薄膜。