[发明专利]沟槽栅极结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种沟槽栅极结构及其制造方法。沟槽栅极结构包括衬底，衬底表面的沟槽，衬底上的绝缘衬垫，所述沟槽内表面的栅氧层，以及所述栅氧层上的多晶硅栅极，所述绝缘衬垫通过自身的斜坡结构与所述沟槽邻接，所述多晶硅栅极从沟槽内沿所述斜坡结构延伸至所述绝缘衬垫上，所述绝缘衬垫包括较衬垫的其他部分下凹的多晶硅栅极拉抬区，从沟槽中伸出的所述多晶硅栅极搭在所述多晶硅栅极拉抬区上。本发明沟槽内的多晶硅栅极与延伸至绝缘衬底上的部分相对独立，因此沟槽深度和接触孔深度不会相互构成限制。多晶硅栅极的光刻步骤与器件的多晶硅光刻在同一步中进行，不需要额外增加光刻版(mask)和光刻层次，因此不会造成这方面成本的提高。

主权项

一种沟槽栅极结构的制造方法，包括：在衬底表面形成绝缘衬垫，所述绝缘衬垫的一端形成斜坡结构；在所述衬底和绝缘衬垫表面形成硬掩膜；使用光刻胶光刻形成多晶硅栅极窗口；通过所述窗口将露出的硬掩膜刻蚀掉，所述绝缘衬垫因硬掩膜的过刻蚀在所述窗口处形成相对绝缘衬垫的其他部分下凹的多晶硅栅极拉抬区；通过所述窗口刻蚀露出的衬底，形成沟槽；所述绝缘衬垫通过斜坡结构与所述沟槽邻接；进行栅氧氧化，在所述沟槽的内表面形成栅氧层；向所述沟槽内淀积多晶硅，形成多晶硅栅极；所述多晶硅栅极从沟槽内伸至所述多晶硅栅极拉抬区上作为与接触孔接触的区域；将所述硬掩膜剥离。