[发明专利]一种超结MOS器件终端仿真方法在审
| 申请号： | 201610460308.3 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107545076A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王飞;刘伟;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明对于高压超结MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真方法。其特点是提出一种等效模型仿真方法，由与原器件终端沟槽等距等宽度的PN结堆叠组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，利用其可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于能较快找到符合要求终端的大致结构，等效结构简单，仿真程序简单，仿真速度快，节约时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 终端 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种超结MOS器件终端仿真方法，其特征在于，包括以下步骤，首先将超结终端结构简化为一种等效结构，所述等效结构不包含原胞区，将终端部分简化为堆叠的PN结，所述等效结构中代表原终端沟槽的部分（3）宽度和掺杂情况与原终端（1）相同，所述等效结构中代表原终端沟槽的部分之间的间距（4）和掺杂情况与原终端（2）相同，所述等效结构的厚度（6）与原终端的沟槽深度（5）相等；然后，对此等效模型两端所能承载的击穿电压进行仿真，反复对等效结构进行调整，达到目标击穿电压之后再对原终端结构仿真并进行微调，得到最终设计方案。
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