[发明专利]一种外延生长方法在审
| 申请号： | 201610463905.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546101A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延生长方法，包括提供一反应腔，所述反应腔设有反应气体入口、吹扫气体入口和排气出口；提供一支撑平台，所述支撑平台设置在所述反应腔内，所述支撑平台设置有若干通气孔，所述通气孔喷出清洁气体；提供一晶圆，所述晶圆设置在所述通气孔上；在所述反应气体入口通入反应气体，同时在所述吹扫气体入口通入吹扫气体并与从所述清洁气体一起从排气出口排出。本发明提供的外延生长方法，将晶圆设置在具有通气孔的支撑平台上，所述通气孔喷出清洁气体，通过清洁气体带走晶圆上生成的反应副产物或杂质，同时从吹扫气体入口通入吹扫气体产生一个牵引气流引导清洁气体，然后从排气出口排出，从而降低了外延生长过程中的自掺杂现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种外延生长方法，其特征在于，包括：提供一反应腔，所述反应腔设有反应气体入口、吹扫气体入口和排气出口；提供一支撑平台，所述支撑平台设置在所述反应腔内，所述支撑平台设置有若干通气孔，所述通气孔喷出清洁气体；提供一晶圆，所述晶圆设置在所述通气孔上；在所述反应气体入口通入反应气体，同时在所述吹扫气体入口通入吹扫气体并与从所述清洁气体一起从排气出口排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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