[发明专利]一种DUVLED外延片结构

摘要

本发明属于光电子器件领域，具体是一种DUV LED外延片结构，包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次为缓冲层、n‑AlGaN层、多量子阱发光层、p‑AlGaN层以及p‑GaN接触层；所述多量子阱发光层是由若干对阱层和垒层依次从下向上交替堆叠组成的，该阱层为AlxGa1‑xN/AlzInyGa1‑y‑zN/AlxGa1‑xN，其中0.6≦x≦0.9，y和z的取值要满足Eg（AlzInyGa1‑y‑zN）<Eg（AlxGa1‑xN），垒层为AlN。采用在AlxGa1‑xN阱层中插入有AlzInyGa1‑y‑zN薄层的结构，来调控重空穴带、轻空穴带、晶体场劈裂空穴带的相对位置，提高TE模光而降低TM模光的比例，从而提高DUV LED的发光效率。

主权项

一种DUV LED外延片结构，包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次为缓冲层、n‑AlGaN层、多量子阱发光层、p‑AlGaN层以及p‑GaN接触层；其特征在于，所述多量子阱发光层是由若干对阱层和垒层依次从下向上交替堆叠组成的，该阱层为AlxGa1‑xN/AlzInyGa1‑y‑zN/AlxGa1‑xN，其中0.6≦x≦0.9，y和z的取值要满足Eg（AlzInyGa1‑y‑zN）< Eg（AlxGa1‑xN），垒层为AlN；所述阱层中AlzInyGa1‑y‑zN层的厚度为0.3～2nm，阱层的厚度小于垒层的厚度。