[发明专利]一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法

摘要

一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法，制备方法包括在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层；在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在栅介质层上生成分别与两个栅电极对应的有源区图形；淀积一连续的导电层覆盖两个有源区；光刻和刻蚀导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积钝化层；穿过钝化层制备用于将两个有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；在钝化层生长闪烁体层。该方案暗电流小，可提高探测的灵敏度；由于薄膜晶体管开关器件可以同时形成，因此能减少掩膜板的数量和简化工艺。

主权项

一种可探测X射线的薄膜晶体管制备方法,其特征在于，包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀所述电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在所述栅电极上淀积覆盖两个所述栅电极的栅介质层；在所述栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在所述栅介质层上生成分别与两个所述栅电极对应的有源区图形，所述有源区的中部为沟道区，两边为源漏区；淀积一连续的导电层覆盖两个所述有源区；光刻和刻蚀所述导电层，去除沟道区上方的所述导电层，并保留两个有源区之间的所述导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积覆盖两个所述有源区和所述导电层的钝化层；穿过所述钝化层制备用于将两个所述有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；在所述钝化层生长闪烁体层。