[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610474194.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106876461A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;郑永均;周洛龙;朴正熙;李钟锡 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 陈鹏,李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括n‑型层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽设置在所述n‑型层上且彼此隔开；p型区域，包围所述第一沟槽的侧面和拐角；n+型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上；栅绝缘层，设置在所述第二沟槽内；栅电极，设置在所述栅绝缘层上；氧化层，设置在所述栅电极上；源电极，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内；以及漏电极，设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上，其中，所述源电极与设置在所述第一沟槽下方的所述n‑型层接触。
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