[发明专利]一种石墨烯光纤的原位直接制备方法有效
申请号: | 201610475338.1 | 申请日: | 2016-06-24 |
公开(公告)号: | CN107540245B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 刘忠范;陈珂 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C03C25/44 | 分类号: | C03C25/44;C03B37/02 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 王宇杨;陈琳琳 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯光纤的原位直接制备方法。该方法包括如下步骤:1)在光纤拉丝机上安装化学气相沉积设备,并将经拉丝机拉出的裸光纤置于所述设备腔体中,在惰性气氛保护下升温至500‑1700℃;2)保持步骤1)所述温度恒定,向步骤1)所述设备腔体中通入碳源和氢气进行化学气相沉积反应,反应完毕后关闭碳源并快速降至室温,得到石墨烯光纤。本发明制备的石墨烯光纤具有石墨烯结晶度高,分布均匀、层数可控和覆盖率高等特点,相比传统光纤具有高导电性、可饱和吸收和低能量损耗等优点,制备过程简单,与传统光纤生产工艺兼容,适合工业化连续生产,在高速光通信、光调制器、生物传感器和智能穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 光纤 原位 直接 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯光纤的原位直接制备方法,包括如下步骤:1)在光纤拉丝机上安装化学气相沉积设备,并将经拉丝机拉出的裸光纤置于所述化学气相沉积设备腔体中,在惰性气氛保护下升温至500‑1700℃;2)保持步骤1)所述温度恒定不变,向步骤1)所述设备腔体中通入碳源和氢气进行化学气相沉积反应,反应完毕后关闭碳源并快速降至室温,得到所述石墨烯光纤。
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