[发明专利]一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构及其制备方法，包括依次从下到上设置的蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP欧姆接触层、GaAsP过渡层、GaAs缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层。本发明通过对蓝宝石衬底600‑900℃高温热处理，并且在400‑600℃生长低温GaP缓冲层，在650‑750℃生长高温GaP缓冲层，在高温GaP缓冲层生长GaP欧姆接触层，在GaP欧姆接触层上生长GaAsP过渡层；解决了蓝宝石衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在蓝宝石衬底上进行生长的可能性。

主权项

一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，包括依次从下到上设置的蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP欧姆接触层、GaAsP过渡层、GaAs缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述低温GaP缓冲层的厚度为15‑50nm，掺杂浓度为1E19‑6E19个原子/cm3；所述高温GaP缓冲层的厚度为0.3‑1μm，掺杂浓度为1E19‑5E19个原子/cm3；所述GaP欧姆接触层的厚度为2‑5μm，掺杂浓度为1E19‑5E19个原子/cm3；所述GaAsP过渡层的厚度为0.5‑1μm，掺杂浓度为1E19‑5E19个原子/cm3；所述GaAs缓冲层的厚度为0.5‑1μm，掺杂浓度为1E17‑5E18个原子/cm3。