[发明专利]等离子体蚀刻装置有效
| 申请号： | 201610482830.1 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106298423B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·P·威尔比;斯蒂芬·R·伯吉斯;I·蒙克里夫;保罗·登斯利;C·L·威迪克斯;保罗·理查;阿德里安·托马斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张铮铮;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 根据本发明，提供了一种用于蚀刻基板的ICP等离子体蚀刻装置，包括：至少一个腔室；放置在所述腔室内的基板支架；等离子体产生器件，产生用于蚀刻所述基板的等离子体；以及保护结构，所述保护结构环绕所述基板支架，从而在使用中保护所述基板的外周部分免受不需要的材料沉积；其中，所述保护结构布置为被电偏压并且由金属材料形成，从而所述金属材料能够从所述保护结构溅射到所述腔室的内表面以使颗粒材料附着至所述内表面。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻基板的ICP等离子体蚀刻装置，包括：至少一个腔室；放置在所述腔室内的基板支架；等离子体产生器件，产生用于蚀刻所述基板的等离子体；以及保护结构，所述保护结构环绕所述基板支架，从而在使用中保护所述基板的外周部分免受不需要的材料沉积；其中，所述保护结构布置为被电偏压并且由金属材料形成，从而所述金属材料能够从所述保护结构溅射到所述腔室的内表面以使颗粒材料附着至所述内表面，并且其中，所述保护结构包括：远离基板支架的区域，所述远离基板支架的区域具有至少一个等离子体面向表面，所述至少一个等离子体面向表面远离所述基板支架倾斜。
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