[发明专利]一种低副瓣水平极化平板阵列天线

摘要

本发明提出一种低副瓣水平极化平板阵列天线，包括若干辐射单元、馈线、馈电端口；辐射单元采用方口径波导辐射器；天线合成网络采用异形扁波导功分分层形式：第一层合成网络在方位方向上将辐射单元两两合成；第二层合成网络在俯仰方向上将第一层合成网络的输出口两两合成；第三层合成网络在方位方向上按照设定的幅度比例将第二层合成网络的输出口两两合成；设定的幅度比例为在方位方向进行幅度比例锥削，从中间位置向两侧位置降幅逐渐增大；第四层合成网络将第三层合成网络的输出口合成一个馈电端口且采用同轴探针底馈。本发明满足副瓣电平比主瓣电平低至少17dB指标要求，满足车载、机载或便携要求，同时具有成本低、免调试、便于批量生产等特点。

主权项

1.一种低副瓣水平极化平板阵列天线，其特征在于：包括若干辐射单元、馈线、馈电端口；所述辐射单元采用方口径波导辐射器；所述低副瓣水平极化平板阵列天线的天线合成网络采用异形扁波导功分分层形式：辐射单元之后的第一层合成网络在方位方向上将辐射单元两两合成；第二层合成网络在俯仰方向上将第一层合成网络的输出口两两合成；第三层合成网络在方位方向上按照设定的幅度比例将第二层合成网络的输出口两两合成；所述设定的幅度比例为在方位方向进行幅度比例锥削，从中间位置向两侧位置降幅逐渐增大；第四层合成网络将第三层合成网络的输出口合成一个馈电端口且采用同轴探针底馈；所述低副瓣水平极化平板阵列天线采用16×2辐射单元排列形式，方位方向16单元，俯仰方向2单元；第一层合成网络在方位方向上用E‑T接头将相邻辐射单元两两合成，得到16个合成端口；第二层合成网络在俯仰方向上用H‑T接头将第一层合成网络的16个合成端口两两合成，得到8个合成端口；第三层合成网络在方位方向上用H‑T接头按照设定的幅度比例将第二层合成网络的8个合成端口相邻两两合成，得到4个合成端口；第四层合成网络将第三层合成网络的4个合成端口合成一个馈电端口且采用同轴探针底馈。