[发明专利]一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法

摘要

本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。

主权项

一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）选择柔性钼箔作为底电极，在浓硫酸和甲醇体积比1:7的混合溶液中进行清洗，最后用去离子水冲干净并用氮气吹干；（2）利用溶胶凝胶法在钼箔上制备金属预制层薄膜，其后进行硫化从而得到CZTS薄膜；（3）将（2）的CZTS薄膜进行等离子体处理，包括以下步骤：A、将所述CZTS薄膜放置于腔室中，并抽真空至0.1Pa以下；B、 在所述真空腔室中通入气流为48 sccm的Ar气，并保持腔室气压为100Pa，然后起辉；C、调整节流阀使所述真空腔室保持在120Pa, 施加80~120W射频功率于腔室内的气体，使其等离子化，并保持等离子体对CZTS薄膜的作用时间为120s；（4）采用化学水浴法在（3）所得的等离子体处理后的CZTS薄膜表面沉积CdS薄膜；（5）采用蒸发法在（4）制得的样品表面镀一层铝电极。