[发明专利]一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构在审
| 申请号： | 201610496975.7 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107546306A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 涂逵;陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构，其中，在该量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于量子阱结构后端的1‑2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。该结构的量子阱结构中靠近p层所在的量子阱空穴和电子的复合更容易发生，从而提高了电子和空穴的复合率，提高发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 效率 量子 结构 外延 | ||
【主权项】：
一种具有高复合效率的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于所述量子阱结构后端的1‑2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。
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