[发明专利]一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610505363.X 申请日: 2016-07-01
公开(公告)号: CN106129143B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 唐江;冷美英;何一粟 申请(专利权)人: 武汉光电工业技术研究院有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0445
代理公司: 武汉帅丞知识产权代理有限公司42220 代理人: 朱必武
地址: 430075 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域,公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法,尤其是取向良好的硒化锑薄膜,所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料,良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法,具体为两步,包括采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜,然后进行硒(硫)化处理的方法。本发明中的方法,可获得良好取向的硒化锑薄膜,有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池,且简单易行,成本低廉。
搜索关键词: 一种 向性 硒化锑 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高取向性硒化锑薄膜,其特征在于,所述硒化锑薄膜为采用对金属锑薄膜进行硒化处理得到良好取向的硒化锑薄膜,所述硒化锑薄膜为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。
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