[发明专利]一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201610505363.X | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN106129143B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 唐江;冷美英;何一粟 | 申请(专利权)人: | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 武汉帅丞知识产权代理有限公司42220 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 430075 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域,公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法,尤其是取向良好的硒化锑薄膜,所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料,良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法,具体为两步,包括采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜,然后进行硒(硫)化处理的方法。本发明中的方法,可获得良好取向的硒化锑薄膜,有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池,且简单易行,成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 向性 硒化锑 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高取向性硒化锑薄膜,其特征在于,所述硒化锑薄膜为采用对金属锑薄膜进行硒化处理得到良好取向的硒化锑薄膜,所述硒化锑薄膜为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的