[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610507479.7 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328710B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | F·希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括竖直电气元件布置的多个补偿区、竖直电气元件布置的多个漂移区和不可耗尽的掺杂区。多个补偿区中的补偿区被布置在该半导体器件的半导体衬底中。此外，竖直电气元件布置的多个漂移区被布置在该半导体器件的单元区之内的半导体衬底中。多个漂移区和多个补偿区在横向方向上被交替地布置。不可耗尽的掺杂区从单元区的边缘朝着半导体衬底的边缘横向延伸。不可耗尽的掺杂区具有在阻断操作的期间施加至半导体器件的电压不可耗尽的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(100)，包括：竖直电气元件布置的多个补偿区(110)，其中所述多个补偿区(110)中的补偿区(110)被布置在所述半导体器件的半导体衬底中；所述竖直电气元件布置的多个漂移区(120)，被布置在所述半导体器件的单元区(102)之内的所述半导体衬底中，其中所述多个漂移区(120)和所述多个补偿区(110)在横向方向上被交替地布置；以及不可耗尽的掺杂区(130)，从所述单元区(102)的边缘朝着所述半导体衬底的边缘(104)横向延伸，其中所述不可耗尽的掺杂区(130)包括在阻断操作期间由施加至所述半导体器件的电压不可耗尽的掺杂，其中所述多个补偿区(110)和所述不可耗尽的掺杂区(130)包括第一导电类型且所述多个漂移区(120)包括第二导电类型，其中所述不可耗尽的掺杂区(130)包括在靠近所述单元区(102)的区域处的最大掺杂浓度(132)，以及在距所述半导体衬底与所述单元区(102)之内的所述竖直电气元件布置的导电接触结构之间的最接近的接触区域的横向距离大于20μm处的、在距所述半导体衬底与所述单元区(102)之内的所述竖直电气元件布置的导电接触结构之间的最接近的接触区域的横向距离大于漂移区或所述多个补偿区(110)中的补偿区(110)的深度处的、或在被定位成比由最低的导电层所实现的栅场板更靠近所述半导体衬底的边缘(104)的位置处的较低掺杂浓度，所述较低掺杂浓度是所述不可耗尽的掺杂区(130)的所述最大掺杂浓度(132)的至少10％。
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