[发明专利]变容晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610512157.1 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107564953B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种变容晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该变容晶体管包括：具有第一导电类型的半导体鳍片；包绕半导体鳍片的一部分的彼此分离的多个栅极结构，所述多个栅极结构至少包括：在半导体鳍片的边缘上的伪栅极结构、以及与伪栅极结构间隔开的第一栅极结构，每个栅极结构包括：在半导体鳍片的一部分表面上的栅极绝缘物层、在栅极绝缘物层上的栅极、以及用于栅极的间隔物；以及在半导体鳍片上且在伪栅极结构与第一栅极结构之间的抬升的源极或漏极；其中伪栅极结构所包括的栅极与抬升的源极或漏极电连接到相同电位。本发明可以使得源极和漏极的形貌规整，并且可以尽量消除寄生电容，使得器件性能更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种变容晶体管，其特征在于，包括：具有第一导电类型的半导体鳍片；包绕所述半导体鳍片的一部分的彼此分离的多个栅极结构，所述多个栅极结构至少包括：在所述半导体鳍片的边缘上的伪栅极结构、以及与所述伪栅极结构间隔开的第一栅极结构，每个栅极结构包括：在所述半导体鳍片的一部分表面上的栅极绝缘物层、在所述栅极绝缘物层上的栅极、以及用于栅极的间隔物；以及在所述半导体鳍片上且在所述伪栅极结构与所述第一栅极结构之间的抬升的源极或漏极；其中所述伪栅极结构所包括的栅极与所述抬升的源极或漏极电连接到相同电位。
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