[发明专利]一种双通道宽光谱探测器及其制备方法有效
申请号: | 201610518156.8 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN105957918B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 韩玺;徐应强;王国伟;向伟;郝宏玥;牛智川 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/11 | 分类号: | H01L31/11;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法,该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构,所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层,其中,在上电极接触层顶部形成上台面,在中电极接触层形成有中台面,在下电极接触层形成有下台面,上电极、中电极和底电极,分别设置于上台面、中台面和下台面上,分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接,该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 双通道 光谱 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双通道宽光谱探测器,其特征在于,包括:衬底(1);台体结构,包括:依次层叠于衬底(1)上的n型掺杂的GaSb形成的下电极接触层(2)、非故意掺杂的GaSb形成的第一吸收层(3)、p型掺杂的GaSb形成的中电极接触层(4)、p型掺杂的GaAs形成的隔离层(5)、非故意掺杂的GaAs形成的第二吸收层(6)、n型掺杂的GaSb形成的上电极接触层(7),其中,在上电极接触层(7)顶部形成上台面,在中电极接触层(4)形成有中台面,在下电极接触层(2)形成有下台面;上电极(8)、中电极(9)和底电极(10),分别设置于所述上台面、中台面和下台面上,与所述上电极接触层(7)、中电极接触层(4)、上电极接触层(2)电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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