[发明专利]一种双通道宽光谱探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610518156.8 申请日: 2016-07-04
公开(公告)号: CN105957918B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 韩玺;徐应强;王国伟;向伟;郝宏玥;牛智川 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/11 分类号: H01L31/11;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法,该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构,所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层,其中,在上电极接触层顶部形成上台面,在中电极接触层形成有中台面,在下电极接触层形成有下台面,上电极、中电极和底电极,分别设置于上台面、中台面和下台面上,分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接,该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。
搜索关键词: 一种 双通道 光谱 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双通道宽光谱探测器,其特征在于,包括:衬底(1);台体结构,包括:依次层叠于衬底(1)上的n型掺杂的GaSb形成的下电极接触层(2)、非故意掺杂的GaSb形成的第一吸收层(3)、p型掺杂的GaSb形成的中电极接触层(4)、p型掺杂的GaAs形成的隔离层(5)、非故意掺杂的GaAs形成的第二吸收层(6)、n型掺杂的GaSb形成的上电极接触层(7),其中,在上电极接触层(7)顶部形成上台面,在中电极接触层(4)形成有中台面,在下电极接触层(2)形成有下台面;上电极(8)、中电极(9)和底电极(10),分别设置于所述上台面、中台面和下台面上,与所述上电极接触层(7)、中电极接触层(4)、上电极接触层(2)电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610518156.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top