[发明专利]一种柔性薄层碳覆盖碳纳米管垂直阵列的制备方法有效
申请号: | 201610519075.X | 申请日: | 2016-07-05 |
公开(公告)号: | CN107572504B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 刘畅;平林泉;侯鹏翔;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C01B32/168 | 分类号: | C01B32/168;C01B32/16 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及柔性碳纳米管垂直阵列的制备领域,具体为一种柔性薄层碳覆盖碳纳米管垂直阵列的制备方法。首先在基底表面等离子沉积一薄层碳,然后采用等离子增强化学气相沉积法生长碳纳米管,从而获得薄层碳覆盖碳纳米管垂直阵列的复合结构,处于顶部的薄层碳把垂直阵列中的碳纳米管相互连接起来,保证阵列中所有碳纳米管均参加热传递。随后将垂直阵列简单按压,将垂直阵列从基底上撕下来,从而得到自支撑的柔性碳纳米管垂直阵列。所制备的自支撑碳纳米管垂直阵列具有优异的导热性能、良好的可弯折特性、强的粘附力,在柔性热界面材料和柔性储能领域有着良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 薄层 覆盖 纳米 垂直 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
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