[发明专利]可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法在审
申请号: | 201610520806.2 | 申请日: | 2016-07-05 |
公开(公告)号: | CN107579125A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 陈柏颕;陈俋瑾;陈俋锡 | 申请(专利权)人: | 陈柏颕 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 黄挺 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法。该可提升太阳能发电效益的结构包含一发电单元,及一导电单元。该发电单元包括一P型半导体层,及一与该P型半导体层连接的N型半导体层,该N型半导体层是由多个N型材料,及一包覆该多个N型材料的导电材料所组成。该导电单元包括一与该P型半导体层连接的导电底层,及一与该N型半导体层连接的导电顶层。本发明将N型半导体层的结构做重新安排,此重新安排的结构可以降低分离的电子‑电洞对重新复合的机率,电子快速被传导至总线。 | ||
搜索关键词: | 提升 太阳能 发电 效益 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种可提升太阳能发电效益的结构,其特征在于,包含:一发电单元,包括一P型半导体层,及一与该P型半导体层连接的N型半导体层,该N型半导体层是由多个N型材料及一包覆该多个N型材料的导电材料所组成;及一导电单元,包括一与该P型半导体层连接的导电底层,及一与该N型半导体层连接的导电顶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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