[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610525230.9 | 申请日： | 2016-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107579116A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 叶达勋;罗正玮;颜孝璁;简育生 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 周滨,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效晶体管，包含半导体基板、鳍式结构、栅极介电层、栅极电极结构、漏极结构及源极结构。半导体基板包含绝缘区。鳍式结构延伸设置于半导体基板上，并位于二绝缘区间。栅极介电层设置以横跨鳍式结构的两侧。栅极电极结构设置于栅极介电层上。漏极结构设置于鳍式结构对应于栅极电极结构的第一侧，并与栅极电极结构间具有第一电阻值。源极结构设置于鳍式结构对应于栅极电极结构的第二侧，并与栅极电极结构间具有第二电阻值，其中第一电阻值大于第二电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效晶体管，其特征在于，包含：一半导体基板，包含多个绝缘区；一鳍式结构，延伸设置于该半导体基板上，并位于两个该绝缘区间；一栅极介电层，设置以横跨该鳍式结构的两侧；一栅极电极结构，设置于该栅极介电层上；一漏极结构，设置于该鳍式结构对应于该栅极电极结构的一第一侧，并与该栅极电极结构间具有一第一电阻值；以及一源极结构，设置于该鳍式结构对应于该栅极电极结构的一第二侧，并与该栅极电极结构间具有一第二电阻值，其中该第一电阻值大于该第二电阻值。
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