[发明专利]MEMS器件及其制造方法有效
申请号: | 201610526397.7 | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN106115602B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 闻永祥;刘琛;季锋;覃耀慰 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00;H04R19/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人: | 蔡纯,张靖琳 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 公开了一种MEMS器件包括基底,具有第一空腔;第一牺牲层,位于基底上,具有第二空腔;振动隔膜层,振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑,振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜,振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的突点;第二牺牲层,位于振动隔膜上,具有第三空腔,振动隔膜的至少一部分位于第三空腔内;背极板层,位于第二牺牲层上,背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑,背极板层包括位于第三空腔上方的背极板;防粘附层,位于基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。本发明能够减小振动隔膜与基底之间的接触面积,以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力,可以有效地减少或防止基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的粘连。 | ||
搜索关键词: | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS器件,其特征在于,包括:基底,所述基底具有第一空腔;第一牺牲层,位于所述基底上,所述第一牺牲层中具有第二空腔;振动隔膜层,所述振动隔膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑,所述振动隔膜层包括位于所述第二空腔上方的振动隔膜,所述振动隔膜朝向所述第二空腔的表面具有向所述第二空腔突出的突点;第二牺牲层,位于所述振动隔膜层上,所述第二牺牲层中具有第三空腔,所述振动隔膜的至少一部分位于所述第三空腔内;背极板层,位于所述第二牺牲层上,所述背极板层的至少一部分由所述第二牺牲层支撑,所述背极板层包括位于所述第三空腔上方的背极板;其中,所述MEMS器件还包括:防粘附层,位于所述基底和所述振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。
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