[发明专利]多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法，结合第三功函数层分别相对于第一功函数层、第二功函数层的有效功函数值的差异，以及第一开口相对于第二开口底部鳍部中掺杂的第一离子的浓度差异，实现了第一开口、第二开口、第三开口对应形成的鳍式场效应晶体管的阈值电压的差异。结合第六功函数层分别相对于第四功函数层、第五功函数层的有效功函数值的差异，以及第四开口相对于第五开口底部鳍部中掺杂的第二离子的浓度差异，实现了第四开口、第五开口和第六开口对应形成的鳍式场效应晶体管的阈值电压的差异。使得多阈值电压鳍式场效应晶体管的电学性能得到提高。

主权项

一种多阈值电压鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；在所述半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层内具有暴露出鳍部的第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口，第一开口、第二开口、第三开口用于形成第一类型的鳍式场效应晶体管，第四开口、第五开口、第六开口用于形成第二类型的鳍式场效应晶体管，第二类型与第一类型相反，第一开口底部的鳍部中掺杂有第一浓度的第一离子，第二开口底部的鳍部中掺杂有第二浓度的第一离子，第二浓度大于第一浓度，第四开口底部的鳍部中掺杂有第三浓度的第二离子，第五开口底部的鳍部中掺杂有第四浓度的第二离子，第四浓度大于第三浓度；在第一开口的侧壁和底部形成第二类型的第一功函数层；在第二开口的侧壁和底部形成第二类型的第二功函数层，第二功函数层的有效功函数值等于第一功函数层的有效功函数值；在第三开口的侧壁和底部形成第二类型的第三功函数层，第三功函数层的有效功函数值大于第一功函数层的有效功函数值；在第四开口的侧壁和底部形成第二类型的第四功函数层；在第五开口的侧壁和底部形成第二类型的第五功函数层，第五功函数层的有效功函数值等于第四功函数层的有效功函数值；在第六开口的侧壁和底部形成第二类型的第六功函数层，第六功函数层的有效功函数值小于第四功函数层的有效功函数值；形成第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层、第四功函数层、第五功函数层和第六功函数层后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口、第六开口的侧壁和底部形成第一类型的第七功函数层。