[发明专利]工艺室气氛检测方法和晶片加工设备有效
| 申请号： | 201610530492.4 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107591344B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 杨洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人： | 李芳芳 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺室气氛检测方法和晶片加工设备。该工艺室气氛检测方法包括：移出工艺室内的晶片；关闭所述工艺室的阀门，将室内气压降低到指定工作压力以下；启动残气分析仪对室内气氛进行检测；若室内气氛无异常，则残气分析仪停止工作，打开工艺室阀门，等待晶片进入；若室内气氛异常，则残气分析仪停止工作，发出异常警报。本发明提供的方法降低了晶片工艺加工的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 气氛 检测 方法 晶片 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种工艺室气氛检测方法，包括：移出工艺室内的晶片；关闭所述工艺室的阀门，将室内压力降低到指定工作压力以下；启动残气分析仪对室内气氛进行检测；若室内气氛无异常，则残气分析仪停止工作，打开工艺室阀门，等待晶片进入；若室内气氛异常，则残气分析仪停止工作，发出异常警报。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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