[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，电荷流动区中形成有超结结构，超结器件包括第一原胞，第一原胞的步进大于超结单元的步进，通过较小的超结单元的步进使超结器件的耐压能力增加以及导通电阻降低，通过较大的第一原胞的步进使第一原胞的平面栅覆盖的超结结构的面积增加并从而提高超结器件的输入电容。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能够提高超结器件的击穿电压和降低导通电阻的同时，还能在很低Vds下获得更高的Ciss且在较大的Vds范围内能使得Ciss的下降比较缓慢，从而能减缓了开关过程的速度、能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰性能以及能减低导通状态到截止状态的切换过程中Vgs的过冲。

主权项

一种超结器件，其特征在于：电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元；超结器件包括第一原胞，各所述第一原胞包括：平面栅，在所述超结结构的宽度方向上，所述平面栅两侧分别和一个所述P型柱对应，令所述平面栅两侧对应的所述P型柱为两侧P型柱，两个所述两侧P型柱之间包括一个以上的P型柱且令该P型柱为中间P型柱；在各所述两侧P型柱的顶部形成有P型阱，所述P型阱还延伸到相邻的所述N型柱的顶部，所述平面栅从顶部覆盖所述P型阱，被所述平面栅覆盖的所述P型阱的表面用于形成沟道，在所述平面栅两侧的所述P型阱的表面形成有由N+区组成的源区，所述源区和对应的所述平面栅的侧面自对准；各所述中间P型柱的顶部没有形成源区，在所述源区和对应的所述P型阱的顶部通过相同的接触孔连接到源极；所述超结单元的步进为其所包括的一个所述N型柱和一个所述P型柱的宽度和，所述第一原胞的步进为两个所述两侧P型柱的的中心位置之间的宽度，所述第一原胞的步进大于所述超结单元的步进，通过较小的所述超结单元的步进使所述超结器件的耐压能力增加以及导通电阻降低，通过较大的所述第一原胞的步进使所述第一原胞的平面栅覆盖的超结结构的面积增加并从而提高所述超结器件的输入电容。