[发明专利]光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件

摘要

本发明涉及光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件，包括下述步骤1)制备光电转换层材料的前驱体溶液；2)制备透明导电基底；3)在步骤2)中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；4)利用半导体加工方式，在步骤3)得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；5)以步骤4)中的骨架结构作为骨架，将步骤1)制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。

主权项

一种光电转换层结构的制备方法，该光电转换层结构用于制备光电探测器和发光二极管，包括下述步骤： 1）制备光电转换层材料的前驱体溶液，所述光电转换层材料的前驱体溶液的结构式为 ABX3，其中A为有机铵阳离子或Cs中的一种或两种，B为Pb或Sn中的一种或两种，X为I、Br或Cl中的一种或多种；2）制备透明导电基底，在透明基底上表面铺设透明导电层，形成透明导电基底；3）在步骤2）中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；4）利用半导体加工方式，在步骤3）得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；所述骨架结构的构筑基元为凸出图形或凹坑图形，所述骨架结构为二维结构；5）以步骤4）中的骨架结构作为骨架，将步骤1）制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。