[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610531756.8 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107591330B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一晶体管区和第二晶体管区，所述基底的第一晶体管区和第二晶体管区包括衬底和位于衬底上的鳍部；在所述第一晶体管区衬底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的表面低于所述鳍部顶部表面；对所述第一晶体管区第一牺牲层进行第一离子注入；进行第一离子注入之后，去除所述第一牺牲层；去除所述第一牺牲层之后，进行退火处理。在进行退火处理的过程中，所述第一牺牲层已经被去除，第一牺牲层中的掺杂离子不会扩散进入第二晶体管区鳍部中，从而不会影响第二晶体管区所形成晶体管的性能。因此，所述形成方法能够改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括第一晶体管区和第二晶体管区，所述基底的第一晶体管区和第二晶体管区包括衬底和位于衬底上的鳍部；/n在所述第一晶体管区衬底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的表面低于所述鳍部顶部表面；/n对所述第一牺牲层进行第一离子注入；/n进行第一离子注入之后，去除所述第一牺牲层；/n去除所述第一牺牲层之后，进行退火处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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