[发明专利]一种硅通孔结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610535367.2 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057757A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李春泉;谢星华;黄红艳;尚玉玲;张明;周远畅;谢小天 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔结构及其制作方法，所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所述硅通孔结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）制作第一盲孔；2）制作第一绝缘层；3）填充导电材料；4）制作第二盲孔；5）制作第二绝缘层；6）贯通两盲孔；7）形成硅通孔。这种硅通孔结构能够使芯片三维叠层封装更加简单可靠。这种方法降低了加工高深宽比或超高深宽比的硅通孔结构的难度，实现了高深宽比或超高深宽比的硅通孔结构的制作，工艺简单同时兼容了半导体的制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块。
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