[发明专利]一种以钛酸钡为主相的场致发射阴极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种以钛酸钡为主相的场致发射阴极及其制备方法，制备过程先后采用了溶胶‑凝胶法和水热法。具体包括采用以乙酸钡和钛酸丁酯为主要原料的溶胶‑凝胶法在硅片上制备钛酸钡籽晶，然后以TiO2为Ti源和Ba(OH)2·8H2O为Ba源，通过水热法制备以钛酸钡为主相的一维纳米结构，采用NaOH调节水热体系pH值，控制原料比例为BaTi＝1.21，并保证水热体系pH值大于12，水热温度为150～180℃，水热时间8～12h，经过洗涤、干燥后获得以钛酸钡为主相的一维纳米结构场发射阴极。本发明工艺易控，获得的场发射阴极场发射电压低，发射电流大，在场发射冷阴极方面体现出较高的实用价值。

主权项

一种制备以钛酸钡为主相的场致发射阴极的方法，其特征在于，包括采用溶胶‑凝胶法在基底上制备钛酸钡前躯体凝胶薄膜，带有钛酸钡前躯体凝胶薄膜的基底煅烧后得到带有钛酸钡籽晶的基底，再采用水热法在带有钛酸钡籽晶的基底上生长以钛酸钡为主相的一维纳米材料；以钛酸钡为主相的场致发射阴极包括基底，基底上沉积有一维纳米材料，该一维纳米材料以钛酸钡为主相；所述的一维纳米材料还包括碳酸钡和硅钛酸钡；所述的一维纳米材料为直径是45～150nm的实心线状或中空管型的一维纳米材料，中空管型的一维纳米材料的管壁厚度为30～36nm；所述的基底为抛光后的硅片。