[发明专利]一种消除硅芯异常的方法有效

专利信息
申请号: 201610539047.4 申请日: 2016-07-08
公开(公告)号: CN106191994B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 鲍守珍;王丙军;高承燕;李超军;何乃栋;蔡延国;宗冰;王体虎 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 陈正兴
地址: 810007 青海省*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明涉及一种消除硅芯异常的方法,该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理,第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收;第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件,经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳;特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响,从而能有效地解决硅芯异常问题,提高多晶硅产品质量。
搜索关键词: 循环氢 介孔分子筛 硅芯 媒介 氮化物 还原炉 氧化物 氮气 多晶硅产品 还原炉底盘 两步预处理 三氯氢硅 一步处理 异常问题 炉底盘 有效地 富集 炉内 内件 涂覆 氧气 吸收
【主权项】:
1.一种消除硅芯异常的方法,其特征在于:该方法包括以下两个步骤:第一步:在氢气管线上安装一个可更换特殊介孔分子筛装置,该特殊介孔分子筛的孔径小于三氯氢硅分子的动力学直径而大于氧气和氮气分子的动力学直径,当循环氢a通过特殊介孔分子筛时能将其中的三氯氢硅分子杂质吸收,同时让氢气、氮气和氧气通过进入到还原炉内,且分子质量相对较大的氮气和氧气逐渐富集在还原炉的底盘附近;第二步:在还原炉的底盘安装有涂覆由硼粉构成的媒介的内件,使经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳。
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