[发明专利]多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构在审
| 申请号： | 201610540169.5 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106098778A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构，包括硅衬底，硅衬底之上设置有经P型掺杂的源极和漏极；所述源极和所述漏极之上都生长有一层钛硅化物；所述源极和所述漏极之间有一下凹的刻蚀区，刻蚀区上生长有多晶硅栅；所述多晶硅栅和所述硅衬底之间有一层氧化硅隔离层；所述多晶硅栅的上表面覆盖有一层钛多晶硅化物；所述多晶硅栅的左右两侧有侧墙；在所述源极和所述漏极的外侧有下凹状的隔离氧化硅；所述隔离氧化硅和所述硅衬底之间设置有一层衬垫氧化硅。本发明在硅氧化栅的生长处设置有一个过刻蚀的下凹陷区，则硅氧化栅生长位置相对于源极和漏极处更靠下方，在相同的栅极尺寸下，栅极电压控制的灵敏度更大。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 过分 刻蚀 mos 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构，其特征在于，包括硅衬底(21)，硅衬底(21)之上设置有经P型掺杂的源极(221)和漏极(222)；所述源极(221)和所述漏极(222)之上都生长有一层钛硅化物(23)；所述源极(221)和所述漏极(222)之间有一下凹的刻蚀区，刻蚀区上生长有多晶硅栅(25)；所述多晶硅栅(25)和所述硅衬底(21)之间有一层氧化硅隔离层(24)；所述多晶硅栅(25)的上表面覆盖有一层钛多晶硅化物(27)；所述多晶硅栅(25)的左右两侧有侧墙(26)；在所述源极(221)和所述漏极(222)的外侧有下凹状的隔离氧化硅(29)；所述隔离氧化硅(29)和所述硅衬底(21)之间设置有一层衬垫氧化硅(28)；在所述源极(221)和所述漏极(222)之间、所述氧化硅隔离层(24)下还有一层P型耗尽层(20)。
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