[发明专利]一种晶圆平坦化方法

摘要

本发明公开了一种晶圆平坦化方法，晶圆为大尺寸图形芯片，包括微电子机械系统器件（MEMS）的晶圆，其表面经化学气相沉积填充氧化物后厚度在4 um～10um范围；晶圆平坦化方法包括以下步骤步骤1，晶圆表面粗抛；通过粗抛去除晶圆表面75%～85%的氧化物；步骤2，晶圆表面精抛；利用固结磨料的抛光垫以及抛光液对经过步骤1粗抛后的晶圆表面进行精抛，去除晶圆表面剩余的氧化物；步骤3，晶圆后处理；在低压力条件下利用去离子水对晶圆表面进行抛光，清除晶圆表面残留的抛光液，调整晶圆表面至疏水性。本发明方法的第二步有助于减少磨料对于较低区域的去除作用，同时增加对较高区域的去除作用，从而控制晶圆表面的塌陷。

主权项

一种晶圆平坦化方法，所述晶圆为大尺寸图形芯片，所述晶圆表面经化学气相沉积填充氧化物后其厚度在4um～10um范围；其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1，晶圆表面粗抛；通过粗抛去除晶圆表面75%～85%的氧化物；步骤2，晶圆表面精抛；利用固结磨料的抛光垫以及抛光液对经过步骤1粗抛后的晶圆表面进行精抛，通过精抛去除晶圆表面剩余的氧化物；步骤3，晶圆后处理；在低压力条件下利用去离子水对晶圆表面进行抛光，清除晶圆表面残留的抛光液，调整晶圆表面至疏水性；固结磨料的抛光垫参数如下：磨料粒径0.2～0.5微米;粉末含量≧ 40％;表面宽度/沟槽宽度比为2.0～3.0;沟槽宽度0.8～1.2毫米;抛光垫硬度85～90肖氏D;压缩率0.35％～0.4％。