[发明专利]氧化铟锡薄膜及其制备方法、含其的阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201610545577.X | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106086797B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张启平;孙文波;钱叶甲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示光源有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/35;C23C14/08;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化铟锡薄膜及其制备方法、包含该氧化铟锡薄膜的阵列基板和显示装置。其中该氧化铟锡薄膜的制备方法包括：步骤A：制备分立的氧化铟靶材和锡靶材；以及步骤B：在同一沉积腔室中，由所述氧化铟靶材和锡靶材分别产生氧化铟粒子和锡粒子，该氧化铟粒子和锡粒子在基体上共同形成氧化铟锡薄膜。本发明的制备方法通过制备分立的氧化铟靶材和锡靶材，避免靶材重复制备，溅射工艺不用重新开始(如中途不用重新打开真空腔)；相比于传统制备方法的研磨、烧结制备不同锡含量靶材的单靶材镀膜的方式，有效缩短了开发周期，且薄膜中锡含量的控制更加便捷，节省了开发成本；可应用于各种显示装置的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铟锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A：制备分立的氧化铟靶材和锡靶材；以及步骤B：在同一沉积腔室中，由所述氧化铟靶材和锡靶材分别产生氧化铟粒子和锡粒子，该氧化铟粒子和锡粒子在基体上形成氧化铟锡薄膜。
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