[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置及其制造方法。本发明公开一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置及其制造方法能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加所述输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。在一个实施例中，所述制造方法包含通过在晶片衬底上相继形成氧化物层、半导体层和后段制程(BEOL)层来准备晶片；切割所述晶片以将所述晶片划分为个别半导体芯片；通过翻转所述半导体芯片并从所述半导体芯片移除所述晶片衬底来将所述半导体芯片安装在载体的一个表面上；使用包封物包封所述载体的所述一个表面和所述半导体芯片且接着移除所述载体；在移除所述载体的同时形成待电连接到向外暴露的所述BEOL层的再分布层；以及形成待电连接到待电连接到所述再分布层的导电凸块。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供集成电路裸片，所述集成电路裸片包括：氧化物层，所述氧化物层包括第一氧化物表面和第二氧化物表面；半导体层，所述半导体层形成于所述氧化物层上并且包括第一半导体表面和第二半导体表面，并且包括集成电路；后段制程层，所述后段制程层包括第一后段制程表面和第二后段制程表面；以及接合垫，所述接合垫通过所述后段制程层暴露，其中：所述第一后段制程表面附接到所述第一半导体表面；并且所述第一氧化物表面附接到所述第二半导体表面；以及形成电耦合到所述接合垫的导电凸块，其中提供所述集成电路裸片包括：提供未被半导体材料覆盖的所述第二氧化物表面。