[发明专利]一种深紫外发光二极管的芯片结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。

主权项

一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：一、提供一外延衬底，采用MOCVD在外延衬底上依次形成缓冲层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型限制层及第二型导电层；二、在外延表面的第二型导电层上采用掩膜、光刻形成第一电极及扩展电极制作区域；三、采用ICP蚀刻第一电极及扩展电极制作区域，深度至第一型导电层的中间厚度位置；四、处理干净外延片，再置于PVD蒸镀，在第二型导电层、外延层侧面形成AlN电极隔离层；五、外延片再置于MOCVD二次外延生长n‑GaN材料于第一电极及扩展电极制作区域形成第一型欧姆接触层；六、采用掩膜光刻，及带元素探测的ICP蚀刻技术，去除第二型导电层上的AlN材料及n‑GaN，露出第二型导电层；七、在第二型导电层上形成ITO透明导电层；八、在同时在ITO透明导电层上形成第二电极；在第一电极制作区域的第一型欧姆接触层上形成第一电极；在扩展电极制作区域的第一型欧姆接触层上形成扩展电极。