[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610559436.3 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107622939A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李菲;任留涛;李欣 | 申请（专利权）人： | 超致（上海）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/225;H01L21/265;H01L29/06;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 上海市中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。通过该方法，可减少外延层数目，从而简化工艺流程、降低成本、提高工艺精度。该方法包括在衬底上提供第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上形成掩模层，以限定第二导电类型的柱形扩散区所在的区域；使用兆电子伏特级能量的第二导电类型掺杂剂离子，对第一外延层进行离子注入，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；去除所述掩模层；进行高温推阱，使第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到第二导电类型的柱形扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：a)在衬底上提供第一导电类型的第一外延层；b)在所述第一外延层上形成掩模层，以限定第二导电类型的柱形扩散区所在的区域；c)使用兆电子伏特级能量的第二导电类型掺杂剂离子，对第一外延层进行离子注入，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；d)去除所述掩模层；e)进行高温推阱，使第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到第二导电类型的柱形扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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