[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610566096.7 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107634097B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈卓凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成石墨烯层；对所述石墨烯层的NMOS区域进行N型离子注入以形成N型石墨烯沟道层；对所述石墨烯层的PMOS区域进行P型离子注入以形成P型石墨烯沟道层；使用原子层刻蚀法移除所述N型石墨烯沟道层中的部分石墨烯层，以形成具有第一厚度的N型石墨烯沟道层和具有第二厚度的P型石墨烯沟道层，所述第一厚度小于所述第二厚度。根据本发明提出的石墨烯场效应晶体管的制作方法，可控制导电沟道中石墨烯层的厚度，从而平衡N型和P型石墨烯沟道层的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成石墨烯层；对所述石墨烯层的NMOS区域进行N型离子注入以形成N型石墨烯沟道层；对所述石墨烯层的PMOS区域进行P型离子注入以形成P型石墨烯沟道层；使用原子层刻蚀法移除所述N型石墨烯沟道层中的部分石墨烯层，以形成具有第一厚度的N型石墨烯沟道层和具有第二厚度的P型石墨烯沟道层，所述第一厚度小于所述第二厚度。
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