[发明专利]一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极及电解槽

摘要

一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极及电解槽，该阳极包括半导体氧化物层和承载该半导体氧化物层的基板，所述半导体氧化物层为晶向为{111}、{110}、{100}或{010}的纯相或掺杂钒酸铋单晶片。基板为导电玻璃，半导体氧化物层覆盖在导电玻璃的导电膜上。所述阳极设置在电解槽的槽壁上，电解槽内设有碱性电解液。在电解槽的电极上外加偏压，或在光照条件下外加偏压，则可在阳极区生成H₂O₂，在阴极区生成H₂。

主权项

一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极，其特征在于：其包括半导体氧化物层和承载该半导体氧化物层的基板，所述半导体氧化物层具有选择性析出H₂O₂的活性表面，所述半导体氧化物层为晶向为{111}、{110}或{010}的掺杂钒酸铋单晶片，其化学成分为(Bi_1‑xA_x)(V_1‑yB_y)O₄,其中A为+3价金属阳离子，B为+4或+6价金属阳离子，0＜x,y≤0.2；所述的+3价金属阳离子为Sc、Fe、Ga、In或Sb的金属阳离子。