[发明专利]一种用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法有效

专利信息
申请号: 201610568786.6 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN106205863B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 杨柏儒;刘贵师;许钰旺;陈鹏;谢汉萍 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 陈卫,禹小明
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,依次包括放卷模块、涂布模块、复合模块以及收卷模块,所述的涂布模块依次包括表面处理模块、涂布装置及导电性增强模块,所述的复合模块依次包括固化胶复合模块、固化模块及剥离模块。本发明提出一种制备高性能纳米银线导电薄膜的卷对卷制程,手段简单,成本低廉,能够实现高性能柔性透明导电薄膜的大面积生产。
搜索关键词: 一种 用于 制备 性能 纳米 透明 导电 薄膜 卷制程 方法
【主权项】:
一种用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,s1.放卷方向为衬底的前进方向,首先由表面处理模块对衬底进行第一次表面改性,改善薄膜润湿性,同时为s3中的第二次表面处理提供可接枝的羟基基团;所述表面处理模块包括提拉浸渍装置和UV臭氧处理装置,或所述表面处理模块包括提拉浸渍装置和电晕装置;s2.对s1所得的衬底进行纳米银线涂布,并对涂布完成后的薄膜经由导电性增强模块进行导电性增强处理,形成衬底‑纳米银线薄膜;所述的导电性增强模块包括机械压合装置、光烧结装置或者微波熔接装置;s3.对s2所述导电性增强处理后的纳米银线薄膜进行第二次表面处理,选择性的改变纳米银线和衬底的亲疏水性;所述的第二次表面处理为,采用气相沉积装置或浸渍提拉装置对衬底‑纳米银线表面进行选择性接枝改性,接枝后使衬底表面疏水,而纳米银线的亲疏水性不受影响;所述选择性接枝改性的材料为有机硅化合物,所述的有机硅化合物一端带有可水解的基团,另一端带有疏水基团;s4.直接在s3改性后的衬底‑纳米银线上涂布固化胶,经过固化模块后将纳米银线与原衬底剥离,而形成纳米银线部分内嵌入固化胶内部的固化胶‑纳米银线复合薄膜结构;或者预先在目标衬底上涂布固化胶,将涂布有固化胶的目标衬底与经由s3改性后的衬底‑纳米银线薄膜贴合,经过剥离模块后将纳米银线与原衬底剥离,形成目标衬底‑固化胶‑纳米银线复合薄膜结构;s5.收卷即得到所述高性能纳米银线透明导电薄膜。
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