[发明专利]二维黑磷PN结、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201610568917.0 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107634090B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张跃钢;张凯;徐轶君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维黑磷PN结，其可以包括二维黑磷薄膜，至少所述黑磷薄膜表面的局部区域覆设有具有电荷转移特性的薄膜；并且至少在所述黑磷薄膜与具有电荷转移特性的薄膜的结合界面处，黑磷薄膜被所述具有电荷转移掺杂特性的薄膜的组成物质掺杂而形成n型半导体；同时所述黑磷薄膜还包含作为p型半导体的黑磷；所述n型半导体与p型半导体结合形成PN结。本发明还公开了所述二维黑磷PN结的制备方法。本发明提供的黑磷PN结具有单向导通性、光伏特效等性能，适应于制备整流二极管、开关二极管、光伏电池等微纳器件，同时其制备方法简单高效，可重复性好，与常规的半导体工艺兼容，对实现黑磷在多领域的广泛应用具有积极意义。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 黑磷 pn 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种二维黑磷PN结，其特征在于包括二维黑磷薄膜，所述黑磷薄膜的第一区域被n型掺杂而形成n型半导体，而所述黑磷薄膜的第二区域保持为p型半导体，所述第一区域与第二区域邻接，使所述n型半导体与p型半导体的结合面形成PN结。
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